新闻称三星电子推进西安工场闪存工艺进一步进

IT之家 2 月 13 日新闻，韩媒 SEDaily 昨日报道称，三星中国西安 NAND 闪存工场在将制程从第六代 V-NAND（IT之家注：136 层）转换至第八代（238 层）的基本上，还打算在年内建立第九代（286 层）产线。报道声称，三星西安 NAND 厂出产 V9 NAND 所需的新装备将于往年上半年导入，目的是到岁尾建成晶圆吞吐量达每月 2000~5000 片的产线。三星电子在客岁先后发布其基于第九代 V-NAND 技巧的 TLC 跟 QLC 颗粒量产，现在相干产物正在其韩国平泽 P4 工场制作。而三星下代重叠达 4XX 层的 V10 NAND 估计将于 2 月 19 日在 ISSCC 2025 上对外颁布。韩媒以为，三星正经由过程制程进级转换来晋升高机能、高容量、高红利才能的“三高”进步节点 NAND 在其团体产能中的占比，应答现在情形欠安的闪存市况；同时工艺变化带来的天然增产也能减速供需均衡的到来。